Ⅰ. 개요
제 1세대 컴퓨터는 전자관을 이용했고, 제 2세데 컴퓨터는 반도체트랜지스터를 사용했으며, 제 3세대 컴퓨터의 주요부품은 SSI, MSI 회로였다. 제 4세대 컴퓨터는 대규모 집적회로를 사용하고 있다. 대규모 집적회로의 출현에 따라 컴퓨터 중에서 마이크로컴퓨터가 출현했고, 4비트에서부터 8비
Ⅰ. 개요
제 1세대 컴퓨터는 전자관을 이용했고, 제 2세데 컴퓨터는 반도체트랜지스터를 사용했으며, 제 3세대 컴퓨터의 주요부품은 SSI, MSI 회로였다. 제 4세대 컴퓨터는 대규모 집적회로를 사용하고 있다. 대규모 집적회로의 출현에 따라 컴퓨터 중에서 마이크로컴퓨터가 출현했고, 4비트에서부터 8비
컬렉터에 음의 전압을 걸어 사용하는 PNP형과 양전압을 걸어 사용하는 NPN형이 있으며, PNP형은 주로 게르마늄(Ge), NPN형은 주로 실리콘제의 경우가 많다.
- 종류는 대표적으로 BJT와 MOSFET, JFET이 있는데 이를 응용한 소자들 HBT, MESFET, INFET, MODFET등 많다.
트랜지스터의 사용용도
-트랜지스터를 사용하는 목
트랜지스터 증폭기를 만든다.
이미터 접지 증폭기의 전압 증폭도를 측정한다.
이미터 저항을 바이패스(Bypass) 하는 콘덴서가 증폭도에 미치는 영향을 관찰한다.
트랜지스터의 증폭작용
1. 베이스전류의 증가에 비해 컬렉터 전류의 증가가 훨씬
크다.
2. Eimmiter-Base : forward Bias
3. Collector-Base : Reverse Bias
컬렉터(Collector), 이미터(Emitter)라고 부른다.
⚫ 베이스(B) : 트랜지스터를 작동시키지 위해 약한 전기신호를 가하는 단자.
⚫ 컬렉터(C) : 베이스(B)에서 약한 전기신호가 들어오면, 막혀 있던 컬렉터(C)에 큰 전류가 흐르게 된다.
⚫ 이미터(E) : 베이스(B)와 컬렉터(C)에서 흐르는 전류가 합쳐지는 단자.
컬렉터(Collector), 이미터(Emitter)라고 부른다.
⚫ 베이스(B) : 트랜지스터를 작동시키지 위해 약한 전기신호를 가하는 단자.
⚫ 컬렉터(C) : 베이스(B)에서 약한 전기신호가 들어오면, 막혀 있던 컬렉터(C)에 큰 전류가 흐르게 된다.
⚫ 이미터(E) : 베이스(B)와 컬렉터(C)에서 흐르는 전류가 합쳐지는 단자.
컬렉터 를 분리시키는 역할을 한다.
․ 컬렉터(Collector, C) : 전류 반송자를 모으는 역할을 하는 전극으로 입력인 이미터에 비 하여 출력을 이루며, 전류증폭을 위해서 컬렉터 접합은 역방향으로 바이어스 한다
3) 트랜지스터의 동작
NPN형 트랜지스터의 경우, C-B 접합에 역방향 전압을 가하
트랜지스터의 구조
바이폴라 접합 트랜지스터
BJT(Bipolar Junction Transistor)
에피택셜 플래너(epitaxial planar) 구조
두 개의 pn 접합으로 나누어지는 도핑된 세 개의 반도체 영역으로 구성
이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)